今年大家都在关注3D NAND FLASH ，最近西部数据将存储架构密度提高到了768GB ，3D芯片的产出对于未来使用更广，体积不变但是容量更大，未来很小很小的一张卡可能就是几百G或者1TB以上 ，那么未来对于SSD的发展也有一个新转折点。

随着闪存技术的发展，NAND Flash架构设计已从SLC过渡到MLC，现在TLC已成为了主流。西部数据的4-Bits-Per-Cell(X4）架构也就是所谓的QLC，相较于TLC（3-Bits-Per-Cell，X3），每个单位元的存储容量更大。

西部数据BiCS3的X4架构可使单颗Die容量达到768Gb，相较于之前TLC架构的512Gb，单位容量增加了50%。西部数据将在美国加利福尼亚州的圣克拉拉举行的Flash Memory Summit闪存峰会上展示其基于X4架构BiCS3的移动产品，以及SSD产品。

西部数据表示，成功研发出X4架构的BiCS3代表着西部数据的一个重大进展，也显示我们在NAND Flash技术的持续领导地位，同时也使我们能够为客户提供更多选择的存储解决方案。

由于NAND Flash因单位元内存放的bits数增加，P/E周期(Program/Erase Cycle)，以及使用寿命也随之降低。在NAND Flash的MLC向TLC过渡时，为了降低读写错误，NAND Flash控制芯片的ECC纠错技术由BCH向更高纠错能力的LDPC转换，QLC也将会采用更高的纠错技术。

西部数据还表示，今天最引人注意的是，创新的X4架构可使BiCS3 X4的性能能够与BiCS X3相媲美，X4和X3架构之间的性能差缩小是辨别我们能力的一个重要标准，这将有助于我们在未来广泛推动X4架构被市场所接受。

西部数据预计公司生产的BiCS X4技术利用高容量的优势特性将跨越多个终端应用，随着技术的不断发展，包括将要向96层发展BiCS4都将采用X4架构，未来也将成为主流。

西数推出64层3D QLC闪存：便宜入门的新SSD要爆发

此前，X4已经用于2D闪存的产品，在SSD小型化的当下，通过3D也就是向上发展，可以在有限的空间内集成更大的存储量。

由此，单晶片的存储密度为768Gb(96GB)，此前64层TLC是512Gb。